近日，据媒体报导，日本存储芯片厂商铠侠宣布了3D NAND闪存成长蓝图，方针2027年实现1000层重叠。

铠侠暗示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数履历了显著的增加，从早期的24层迅速爬升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增加。铠侠恰是基在这类每一年平均1.33倍的增加速率，猜测到2027年到达1000层重叠的方针是彻底可行的。

而这一计划较此前宣布的时间早了近3年，据日本媒体本年4月报导，铠侠CTO宫岛英史于71届日本运用物理学会春天学术演讲会上暗示，公司规划在2030至2031年间推出1000层的3D NAND闪存芯片。

铠侠是全世界知名的存储芯片厂商，不外为应答需求低迷的市场情况，2022年10月，铠侠公布将调解四日市及北上市NAND Flash晶圆厂的出产，将晶圆出产量削减约30%。

最新动静是，铠侠已经竣事了为期20个月的减产动作，并将上述两座NAND Flash工场的产线动工率晋升至100%。此外，跟着营业好转，债权银行已经赞成为6月份到期的5,400亿日元贷款举行再融资。他们还有将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。

除了了宣布最新3D NAND闪存成长蓝图外，铠侠的IPO规划好像也迎来了新的进展。

据媒体援引两位知恋人士的动静报导，铠侠规划于将来几天提交一份于东京证交所上市的开端申请。知恋人士称，这家芯片制造商规划于8月提交一份完备的申请，并估计在10月尾上市，不外上市时间有可能会推延到12月。

封面图片来历：拍信网

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