6月28日，据韩媒报导，意法半导体（ST）将从来岁第三季度最先将其碳化硅（SiC）功率半导体出产工艺从6英寸进级为8英寸。该规划旨于提高产量及出产率，以具备竞争力的价格向市场供给SiC功率半导体。

意法半导体功率分立与模仿产物部副总裁Francesco Muggeri近日接管记者采访时暗示： 今朝，出产SiC功率半导体的主流尺寸为6英寸，但咱们规划从来岁第三季度最先慢慢转向8英寸。

跟着晶圆尺寸的增长，每一片可以出产更多的芯片，每一颗芯片的出产成本降低。SiC晶圆正于从6英寸慢慢改变到8英寸。

意法半导体规划来岁第三季度于意年夜利卡塔尼亚的SiC晶圆厂过渡到8英寸，随后于新加坡的晶圆厂也将过渡到8英寸。与三安光电合资的中国工场估计将在同年第四序度最先出产8英寸SiC晶圆。

今朝，SiC功率半导体求过于供，价格居高不下，但估计这类环境将趋在不变。

Muzeri说： 此刻发卖的产物是来自两年多前的定单，价格很高，但2027年以后的报价比此刻的低15~20%，SiC半导体已经经于必然水平上订价了。

至在对于全世界电动汽车市场增加阻滞的担心，他暗示没有年夜的影响。他说，欧洲、美国及韩国等一些增加最快的国度增加放缓，暂时降低了需求，但并未造成半导体需求的年夜幅降落。

Muzeri暗示： 汽车出产用半导体的数目有所增长，对于SiC功率半导体的需求仍旧强劲。就电动汽车而言，利用SiC功率半导体时，行驶里程可以增长18~20%，估计将来汽车的采用率将从今朝的15%提高到60%。

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