6月27日，半导体系体例造商Nexperia（安世半导体）公布，规划投资2亿美元（约合人平易近币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并于德国汉堡工场成立出产基础举措措施。

从2024年6月最先，安世半导体三种工艺（SiC、GaN及Si）器件都将于德国开发及出产，以满意对于高效功率半导体日趋增加的持久需求。

安世半导体暗示，这笔投资还有将有助在德国汉堡工场现有基础举措措施的进一步主动化，并经由过程体系地转换到8英寸晶圆来扩展硅出产能力。公司于扩展无尘室面积后，还有将新建研发试验室，以继承确保将来从研究到出产的无缝过渡。

安世半导体德国首席运营官兼董事总司理Achim Kempe称，将来，公司汉堡晶圆厂将笼罩宽带隙半导体的全系列，同时其仍旧是最年夜的小型旌旗灯号二极管及晶体督工厂。

此外，同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管及SiC二极管出产线投产。该公司称，下一个里程碑将是设置装备摆设SiC MOSFET及低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比出产线，这些产线估计于将来两年内涵汉堡工场建成。

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